Для определения параметра h11к при значении биполярного тока (б) 0,5 мА и обратного напряжения коллектор-эмиттер (бк) 21В необходимо использовать входной сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером.
Формула для расчета h11к:
h11к = ∆(бк) / ∆(б)
где ∆(бк) - изменение обратного напряжения коллектор-эмиттер, ∆(б) - изменение биполярного тока.
Подставив данные в формулу, получим:
h11к = 21В / 0,5мА = 42 кОм
Физический смысл параметра h11к - это входная сопротивление транзистора при рабочих условиях (определенном уровне биполярного тока и обратного напряжения коллектор-эмиттер). Этот параметр определяет способность транзистора к усилению входного сигнала и является важным показателем при выборе и расчете электронных схем.
Для определения параметра h11к при значении биполярного тока (б) 0,5 мА и обратного напряжения коллектор-эмиттер (бк) 21В необходимо использовать входной сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером.
Формула для расчета h11к:
h11к = ∆(бк) / ∆(б)
где ∆(бк) - изменение обратного напряжения коллектор-эмиттер, ∆(б) - изменение биполярного тока.
Подставив данные в формулу, получим:
h11к = 21В / 0,5мА = 42 кОм
Физический смысл параметра h11к - это входная сопротивление транзистора при рабочих условиях (определенном уровне биполярного тока и обратного напряжения коллектор-эмиттер). Этот параметр определяет способность транзистора к усилению входного сигнала и является важным показателем при выборе и расчете электронных схем.