Смещение участвующих в образовании связи электронных пар в соединении SiO2 происходит от кислорода к кремнию. Кислород имеет более высокую электроотрицательность, чем кремний, что приводит к смещению электронной плотности от кислорода к кремнию при образовании связи в молекуле SiO2.
Смещение участвующих в образовании связи электронных пар в соединении SiO2 происходит от кислорода к кремнию. Кислород имеет более высокую электроотрицательность, чем кремний, что приводит к смещению электронной плотности от кислорода к кремнию при образовании связи в молекуле SiO2.