Ряды s, p, d и f образуются на основе принципа электронной конфигурации атома. Каждый ряд соответствует определенному подуровню внешней оболочки атома и может содержать определенное количество электронов.
Ряд s - включает элементы с электронами на s-подуровне. Сначала заполняется 1s, затем 2s, 3s и т.д. Каждый ряд s содержит 2n^2 элементов, где n - номер ряда.
Ряд p - включает элементы с электронами на p-подуровне. Этот ряд начинается после заполнения s-подуровня и содержит 6 элементов (3 на каждое подуровне p) для каждого ряда.
Ряд d - включает элементы с электронами на d-подуровне. Этот ряд начинается после заполнения ряда p и содержит 10 элементов (5 на каждое подуровне d) для каждого ряда.
Ряд f - включает элементы с электронами на f-подуровне. Этот ряд начинается после заполнения ряда d и содержит 14 элементов (7 на каждое подуровне f) для каждого ряда.
Таким образом, принцип формирования рядов s, p, d и f основан на порядке заполнения электронами различных подуровней внешней оболочки атома в соответствии с принципами распределения электронов в атоме.
Ряды s, p, d и f образуются на основе принципа электронной конфигурации атома. Каждый ряд соответствует определенному подуровню внешней оболочки атома и может содержать определенное количество электронов.
Ряд s - включает элементы с электронами на s-подуровне. Сначала заполняется 1s, затем 2s, 3s и т.д. Каждый ряд s содержит 2n^2 элементов, где n - номер ряда.
Ряд p - включает элементы с электронами на p-подуровне. Этот ряд начинается после заполнения s-подуровня и содержит 6 элементов (3 на каждое подуровне p) для каждого ряда.
Ряд d - включает элементы с электронами на d-подуровне. Этот ряд начинается после заполнения ряда p и содержит 10 элементов (5 на каждое подуровне d) для каждого ряда.
Ряд f - включает элементы с электронами на f-подуровне. Этот ряд начинается после заполнения ряда d и содержит 14 элементов (7 на каждое подуровне f) для каждого ряда.
Таким образом, принцип формирования рядов s, p, d и f основан на порядке заполнения электронами различных подуровней внешней оболочки атома в соответствии с принципами распределения электронов в атоме.