Как образуется р - n - переход и каковы его свойства?

Предыдущий
вопрос Следующий
вопрос

Переход (p-n) образуется при контактировании полупроводников p-типа и n-типа. При этом электроны из зоны проводимости n-области дифундируют в зону проводимости p-области, а дырки из валентной зоны p-области - в валентную зону n-области. Таким образом, в зоне дифузии образуется область с избытком электронов и дырок, когда они перемещаются в противоположные направления.

Свойства (p-n) перехода:

Высокая эффективность: переход хорошо улавливает световую энергию и способен генерировать фототок.Источник и обратное разрешение тока: при приложении напряжения к (p-n) переходу возникает ток. В области прямого смещения ток высокий, в области обратного смещения - низкий.Быстродействие: переход обладает низким временем реакции.Прямое и обратное смещение: в зависимости от направления приложенного напряжения в (p-n) переходе могут происходить различные процессы.Омическое сопротивление: характеризуется малым сопротивлением в прямом смещении и высоким в обратном.Способность к рекомбинации: электроны и дырки могут рекомбинировать в (p-n) переходе, излучая фотоны.