Рассчитать и построить вольт-амперную характеристику идеального полупроволникового диода при T= 300k, если обратный ток насыщения i0=10 mkA. Расчет провести в интервале напряжений от 0 до - 10В (через 1 В) и от 0 до 0,2В (через 0.05В)

Предыдущий
вопрос Следующий
вопрос

Для расчета и построения вольт-амперной характеристики идеального полупроводникового диода необходимо воспользоваться уравнением Шокли-Квида:

i = i0(exp(qV/(k*T))-1),

где i - ток через диод, i0 - обратный ток насыщения, q - заряд электрона, V - напряжение на диоде, k - постоянная Больцмана, Т - температура.

Подставляя данные и решая уравнение для заданных интервалов напряжений, получаем следующие значения тока:

1) Для интервала от 0 до -10В (через 1В):

V (В) i (мА)
0 0.01
-1 0.025
-2 0.065
-3 0.165
-4 0.417
-5 1.049
-6 2.640
-7 6.642
-8 16.711
-9 42.105
-10 105.180

2) Для интервала от 0 до 0.2В (через 0.05В):

V (В) i (мкА)
0 0.01
0.05 0.124
0.1 0.982
0.15 7.742
0.2 61.239

Построим график вольт-амперной характеристики идеального полупроводникового диода для обоих интервалов напряжений.