В какой области, на границе с p-n переходом наблюдается избыточная концентрация неосновных носителей заряда? В какой области, на границе с p-n переходом наблюдается избыточная концентрация неосновных носителей заряда 1.В обеих областях на границах с p-n перходо 2.Дырок в p-области и электронов в n-области в отсутствие внешнего источник 3.В области эмиттера дырок, в области базы электронов при обратном напряжении на переход 4.В слабо легированной области (базе) за счет инжекции из сильно легированной области (эмиттера) при прямом напряжении
Ответ: 3. В области эмиттера дырок, в области базы электронов при обратном напряжении на переходе