При одном p-n переходе образуется полупроводниковый диод. Для этого используются два типа полупроводников - p-типа (в котором преобладают дырки) и n-типа (в котором преобладают электроны). Соединение этих двух материалов создает p-n переход, который обладает свойствами полупроводникового диода, таких как прямое и обратное смещение, пропускание и блокирование тока.
При одном p-n переходе образуется полупроводниковый диод. Для этого используются два типа полупроводников - p-типа (в котором преобладают дырки) и n-типа (в котором преобладают электроны). Соединение этих двух материалов создает p-n переход, который обладает свойствами полупроводникового диода, таких как прямое и обратное смещение, пропускание и блокирование тока.