Во сколько раз увеличится разность потенциалов на обкладках конденсатора емкостью С3 при пробое конденсатора емкостью С2, если емкости трех конденсаторов равны соответственно 200 пФ, 600 пФ и 800 пФ?
Для определения увеличения разности потенциалов на обкладках конденсатора C3 при пробое конденсатора C2, нужно знать отношение напряжений на конденсаторах до и после пробоя.
Поскольку энергия, запасенная в конденсаторе, пропорциональна квадрату напряжения, то можно сделать вывод, что отношение разности потенциалов на конденсаторах до и после пробоя будет равно корню из отношения емкостей конденсаторов.
Таким образом, отношение разности потенциалов на обкладках конденсатора C3 до и после пробоя будет равно корню из (800/600) = корень из (4/3) = 2/√3.
Следовательно, разность потенциалов на обкладках конденсатора C3 увеличится в √3 раз при пробое конденсатора C2.
Для определения увеличения разности потенциалов на обкладках конденсатора C3 при пробое конденсатора C2, нужно знать отношение напряжений на конденсаторах до и после пробоя.
Поскольку энергия, запасенная в конденсаторе, пропорциональна квадрату напряжения, то можно сделать вывод, что отношение разности потенциалов на конденсаторах до и после пробоя будет равно корню из отношения емкостей конденсаторов.
Таким образом, отношение разности потенциалов на обкладках конденсатора C3 до и после пробоя будет равно корню из (800/600) = корень из (4/3) = 2/√3.
Следовательно, разность потенциалов на обкладках конденсатора C3 увеличится в √3 раз при пробое конденсатора C2.