Рекомбинация - это процесс, при котором свободные электроны и дырки в полупроводнике соединяются, образуя нейтральные атомы. Этот процесс происходит при встрече свободных носителей заряда и приводит к уменьшению количества свободных электронов и дырок, что в свою очередь снижает диффузионный ток в полупроводнике.
Ионы - это заряженные атомы или молекулы, которые имеют либо положительный, либо отрицательный заряд. В p-n переходе ионы играют важную роль, так как при образовании p-области в полупроводнике вводятся примеси с электронной проводимостью, а в n-область - примеси с дырочной проводимостью. Это приводит к образованию электрического поля в области перехода, которое влияет на движение носителей заряда и создает электронный и дырочный диффузионный ток.
Рекомбинация - это процесс, при котором свободные электроны и дырки в полупроводнике соединяются, образуя нейтральные атомы. Этот процесс происходит при встрече свободных носителей заряда и приводит к уменьшению количества свободных электронов и дырок, что в свою очередь снижает диффузионный ток в полупроводнике.
Ионы - это заряженные атомы или молекулы, которые имеют либо положительный, либо отрицательный заряд. В p-n переходе ионы играют важную роль, так как при образовании p-области в полупроводнике вводятся примеси с электронной проводимостью, а в n-область - примеси с дырочной проводимостью. Это приводит к образованию электрического поля в области перехода, которое влияет на движение носителей заряда и создает электронный и дырочный диффузионный ток.