Для катушки с однослойной обмоткой индуктивность определяется формулой:
L = (μ N^2 S^2) / l,
где N - число витков, S - площадь поперечного сечения магнитопровода, l - длина провода.
Зная, что индуктивность L = 1 мГн = 0.001 Гн и параметры магнитопровода (диаметр ∅ = 80 мм = 0.08 м, длина 40 мм = 0.04 м, μ = 400), можем выразить l:
0.001 = (400 N^2 (π * (∅/2)^2)^2) / l,
l = (400 N^2 (π * (0.08/2)^2)^2) / 0.001.
Подставляем значения и считаем:
l = (400 N^2 (π 0.04^2)^2) / 0.001 = (400 N^2 (π 0.0016)^2) / 0.001 ≈ 9.311 м.
Поэтому понадобится около 9.311 м провода для получения индуктивности катушки 1 мГн при однослойной обмотке.
Для катушки с однослойной обмоткой индуктивность определяется формулой:
L = (μ N^2 S^2) / l,
где N - число витков, S - площадь поперечного сечения магнитопровода, l - длина провода.
Зная, что индуктивность L = 1 мГн = 0.001 Гн и параметры магнитопровода (диаметр ∅ = 80 мм = 0.08 м, длина 40 мм = 0.04 м, μ = 400), можем выразить l:
0.001 = (400 N^2 (π * (∅/2)^2)^2) / l,
l = (400 N^2 (π * (0.08/2)^2)^2) / 0.001.
Подставляем значения и считаем:
l = (400 N^2 (π 0.04^2)^2) / 0.001 = (400 N^2 (π 0.0016)^2) / 0.001 ≈ 9.311 м.
Поэтому понадобится около 9.311 м провода для получения индуктивности катушки 1 мГн при однослойной обмотке.