Как в солнечных батареях скрепляют два разных пластин кремния образующий n-p переход? Солнечные батареи,везде полно информации из чего она ссотоит и как работает и почти как производят. Но как они склеивают два разных кремниевых элементов,где у одного бор в составе,у дрогого с другим химическим элементом. Дак как они соединяют получается меж друг друга 2 пластины но как?
Для создания n-p перехода в солнечных батареях используется процесс называемый "диффузия". Диффузия - это процесс, при котором атомы одного материала проникают в другой материал. В случае кремниевых пластин, одна из них обрабатывается таким образом, чтобы в нее проникали атомы другого элемента (например, бора). Это делается путем нагревания пластины до определенной температуры и добавления бора в виде газа или жидкости.
После этого процесса на поверхности первой пластины образуется слой с примесями (бором), который создает n-тип полупроводник. После этого две пластины соединяются вместе, и в результате образуется n-p переход, который является ключевым элементом солнечной батареи.
Таким образом, процесс склеивания двух разных кремниевых элементов осуществляется за счет процесса диффузии, который позволяет создать переход между полупроводниками разных типов.
Для создания n-p перехода в солнечных батареях используется процесс называемый "диффузия". Диффузия - это процесс, при котором атомы одного материала проникают в другой материал. В случае кремниевых пластин, одна из них обрабатывается таким образом, чтобы в нее проникали атомы другого элемента (например, бора). Это делается путем нагревания пластины до определенной температуры и добавления бора в виде газа или жидкости.
После этого процесса на поверхности первой пластины образуется слой с примесями (бором), который создает n-тип полупроводник. После этого две пластины соединяются вместе, и в результате образуется n-p переход, который является ключевым элементом солнечной батареи.
Таким образом, процесс склеивания двух разных кремниевых элементов осуществляется за счет процесса диффузии, который позволяет создать переход между полупроводниками разных типов.