При нагревании полупроводника, электроны в его структуре получают энергию, которая позволяет им преодолеть потенциальный барьер и перейти на уровни с более высокой энергией. Это приводит к тому, что некоторые электроны выходят из валентной зоны и переходят в зону проводимости, становясь свободными зарядами. Таким образом, количество электрических зарядов в полупроводнике увеличивается.
Этот процесс называется генерацией и рекомбинацией носителей заряда и является важной физической закономерностью, которая происходит в полупроводниках при нагревании. Увеличение количества свободных зарядов в полупроводнике может привести к увеличению его проводимости и другим электрическим свойствам.
При нагревании полупроводника, электроны в его структуре получают энергию, которая позволяет им преодолеть потенциальный барьер и перейти на уровни с более высокой энергией. Это приводит к тому, что некоторые электроны выходят из валентной зоны и переходят в зону проводимости, становясь свободными зарядами. Таким образом, количество электрических зарядов в полупроводнике увеличивается.
Этот процесс называется генерацией и рекомбинацией носителей заряда и является важной физической закономерностью, которая происходит в полупроводниках при нагревании. Увеличение количества свободных зарядов в полупроводнике может привести к увеличению его проводимости и другим электрическим свойствам.