Сначала найдем значение силы притяжения обкладок конденсатора по формуле:
F = ε S E
где F - сила притяжения, ε - диэлектрическая проницаемость вакуума (ε = 8.85 * 10^-12 Ф/м), S - площадь обкладок, E - напряженность поля конденсатора.
Подставляем известные значения:
0.03 Н = 8.85 10^-12 Ф/м 100 10^-4 м2 E
Отсюда находим значение E:
E = 0.03 / (8.85 10^-12 100 * 10^-4)
E = 0.03 / 8.85 10^-8 = 3.39 10^6 В/м
Таким образом, напряженность поля конденсатора равна 3.39 * 10^6 В/м.
Сначала найдем значение силы притяжения обкладок конденсатора по формуле:
F = ε S E
где F - сила притяжения, ε - диэлектрическая проницаемость вакуума (ε = 8.85 * 10^-12 Ф/м), S - площадь обкладок, E - напряженность поля конденсатора.
Подставляем известные значения:
0.03 Н = 8.85 10^-12 Ф/м 100 10^-4 м2 E
Отсюда находим значение E:
E = 0.03 / (8.85 10^-12 100 * 10^-4)
E = 0.03 / 8.85 10^-8 = 3.39 10^6 В/м
Таким образом, напряженность поля конденсатора равна 3.39 * 10^6 В/м.