Причина того, что на внешнем электронном слое в атомах благородных газов всегда 8 электронов, связана с принципом заполнения электронных оболочек атомов и законом определения электронной конфигурации.
Электроны в атоме распределены по энергетическим уровням и подуровням, следуя принципам Паули и Гунда. В основном состоянии атом старается достичь электронной конфигурации инертного газа (газа благородного типа), в которой внешний электронный слой содержит полное заполнение s и p подуровней. Данный факт объясняется тем, что такая конфигурация обеспечивает атому стабильность и минимальное содержание потенциальной энергии.
Таким образом, при наборе 8 электронов на внешнем слое в атоме благородного газа, атом достигает полной заполненности своего внешнего слоя наиболее энергетически благоприятным образом, что делает его стабильным и малоактивным.
Причина того, что на внешнем электронном слое в атомах благородных газов всегда 8 электронов, связана с принципом заполнения электронных оболочек атомов и законом определения электронной конфигурации.
Электроны в атоме распределены по энергетическим уровням и подуровням, следуя принципам Паули и Гунда. В основном состоянии атом старается достичь электронной конфигурации инертного газа (газа благородного типа), в которой внешний электронный слой содержит полное заполнение s и p подуровней. Данный факт объясняется тем, что такая конфигурация обеспечивает атому стабильность и минимальное содержание потенциальной энергии.
Таким образом, при наборе 8 электронов на внешнем слое в атоме благородного газа, атом достигает полной заполненности своего внешнего слоя наиболее энергетически благоприятным образом, что делает его стабильным и малоактивным.