Определить э.д.с. химического гальванического элемента и концентрационного гальванического элемента. В каком направлении будут перемещаться электроны во внешней цепи при работе этих элементов? Гальванический элемент: хим - Cd / CdCI2 (0,1M) // ZnSO4 (0,01M) / Zn конц - Cd /Cd(NO3 )2 (0,1M) // Cd(NO3 )2 (0,01M) Cd/Cd
Э.д.с. химического гальванического элемента определяется разностью стандартных потенциалов полуреакций окисления и восстановления ионов металла в растворе. Для данного элемента Cd / CdCl2 (0,1M) // ZnSO4 (0,01M) / Zn разность стандартных потенциалов будет равна 1,03 В.
Э.д.с. концентрационного гальванического элемента определяется иной формулой, которая зависит от концентрации ионов металла в растворе. В данном случае для элемента Cd /Cd(NO3)2 (0,1M) // Cd(NO3)2 (0,01M) Cd/Cd концентрационная разность потенциалов также составляет 1,03 В.
При работе обоих элементов (химического и концентрационного) электроны будут двигаться от металла с более низким потенциалом окисления к металлу с более высоким потенциалом окисления, то есть от цинка к кадмию.
Э.д.с. химического гальванического элемента определяется разностью стандартных потенциалов полуреакций окисления и восстановления ионов металла в растворе. Для данного элемента Cd / CdCl2 (0,1M) // ZnSO4 (0,01M) / Zn разность стандартных потенциалов будет равна 1,03 В.
Э.д.с. концентрационного гальванического элемента определяется иной формулой, которая зависит от концентрации ионов металла в растворе. В данном случае для элемента Cd /Cd(NO3)2 (0,1M) // Cd(NO3)2 (0,01M) Cd/Cd концентрационная разность потенциалов также составляет 1,03 В.
При работе обоих элементов (химического и концентрационного) электроны будут двигаться от металла с более низким потенциалом окисления к металлу с более высоким потенциалом окисления, то есть от цинка к кадмию.