Электроны распределяются в атоме по энергетическим уровням или слоям. Каждый уровень может содержать определенное количество электронов. Первый слой (K-оболочка) может содержать до 2 электронов, второй слой (L-оболочка) - до 8 электронов, третий слой (M-оболочка) - до 18 электронов и так далее.
В атомах элементов 1 периода (Lithium, Beryllium, Boron, Carbon, Nitrogen, Oxygen, Fluorine, Neon) только один электронный слой - первый, так как они имеют только один уровень энергии для распределения электронов.
В атомах элементов 2 периода (Sodium, Magnesium, Aluminum, Silicon, Phosphorus, Sulfur, Chlorine, Argon) есть два электронных слоя: первый и второй.
В атомах элементов 3 периода (Potassium, Calcium, Scandium, Titanium, Vanadium, Chromium, Manganese, Iron, Cobalt, Nickel, Copper, Zinc, Gallium, Germanium, Arsenic, Selenium, Bromine, Krypton) есть три электронных слоя: первый, второй и третий.
Электроны в атоме распределяются в соответствии с принципами квантовой механики, соответствующей принципам заполнения электронных оболочек.
Электроны распределяются в атоме по энергетическим уровням или слоям. Каждый уровень может содержать определенное количество электронов. Первый слой (K-оболочка) может содержать до 2 электронов, второй слой (L-оболочка) - до 8 электронов, третий слой (M-оболочка) - до 18 электронов и так далее.
В атомах элементов 1 периода (Lithium, Beryllium, Boron, Carbon, Nitrogen, Oxygen, Fluorine, Neon) только один электронный слой - первый, так как они имеют только один уровень энергии для распределения электронов.
В атомах элементов 2 периода (Sodium, Magnesium, Aluminum, Silicon, Phosphorus, Sulfur, Chlorine, Argon) есть два электронных слоя: первый и второй.
В атомах элементов 3 периода (Potassium, Calcium, Scandium, Titanium, Vanadium, Chromium, Manganese, Iron, Cobalt, Nickel, Copper, Zinc, Gallium, Germanium, Arsenic, Selenium, Bromine, Krypton) есть три электронных слоя: первый, второй и третий.
Электроны в атоме распределяются в соответствии с принципами квантовой механики, соответствующей принципам заполнения электронных оболочек.