Задача. Какой тип примесного полупроводника образуется при добавлении в чистый четырехвалентный кристалл германия 0,8% примеси атомов трехвалентного индия (In)? Насколько отличается количество основных носителей заряда в этом полупроводнике от количества соответствующих носителей заряда в чистом германии?
Задача. Какой тип примесного полупроводника образуется при добавлении в чистый четырехвалентный кристалл германия 0,8% примеси атомов трехвалентного индия (In)? Насколько отличается количество основных носителей заряда в этом полупроводнике от количества соответствующих носителей заряда в чистом германии?
Похожие вопросы
Не можешь разобраться в этой теме?
Обратись за помощью к экспертам
Гарантированные бесплатные доработки
Быстрое выполнение от 2 часов
Проверка работы на плагиат
Интересные статьи из справочника
Поможем написать учебную работу
Отвечай на вопросы, зарабатывай баллы и трать их на призы.
Подробнее
Подробнее
При добавлении в чистый четырехвалентный кристалл германия 0,8% примеси атомов трехвалентного индия (In) образуется n-тип полупроводник. Так как индий имеет на один валентный электрон больше, чем германий, то он вносит лишний электрон в кристаллическую решетку, что делает материал n-типовым.
Количество основных носителей заряда в этом n-типовом полупроводнике будет значительно больше, чем количество соответствующих носителей заряда в чистом германии. В чистом германии основные носители заряда - дырки (отсутствие электронов), в то время как в n-типовом полупроводнике основными носителями заряда будут электроны, которые появились за счет примеси индия.
Таким образом, количество основных носителей заряда в n-типовом полупроводнике будет намного больше, чем количество соответствующих носителей заряда в чистом германии.