При работе с газонаполненным фотоэлементом ток насыщения не возникает из-за того, что в газовой среде происходит рекомбинация электронов и ионов, что препятствует образованию электронно-дырочного маркера, необходимого для насыщения тока в полупроводниковых приборах. Таким образом, в газонаполненном фотоэлементе не возникает сильного насыщения тока, как в полупроводниковых элементах.
При работе с газонаполненным фотоэлементом ток насыщения не возникает из-за того, что в газовой среде происходит рекомбинация электронов и ионов, что препятствует образованию электронно-дырочного маркера, необходимого для насыщения тока в полупроводниковых приборах. Таким образом, в газонаполненном фотоэлементе не возникает сильного насыщения тока, как в полупроводниковых элементах.